日前，在中科院微电子所微波器件与集成电路科研人员的不懈努力下，基于GaAsPHEMT工艺的射频前端下变频模块和基于SiGeBiCMOS工艺的PLL测试双双取得成功，圆满完成了项目一期技术指标。

　　下变频模块集成了低噪声放大器(LNA)、带通滤波器(BPF)和混频器(Mixer)，其中LNA和Mixer均为100%自主开发，采用GaAsPHEMT工艺，性能指标优良。经测试，所得到的下变频模块的噪声系数仅为1.3dB，变频增益超过28dB。PLL采用SiGeBiCMOS工艺设计并一次流片成功，测试表明，该PLL能够锁定到所设计的频点，可以为下变频器提供信号质量良好、功率足够的本振信号，从而实现射频前端和GPS接收机的连接。基于SiGeBiCMOS工艺的下变频器正在测试当中。上述工作均为项目二期做了良好的技术积累。（